1、洁净室中的温湿度控制 洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在工艺要求的条件下，应考虑到 人的舒适度感。随着空气洁净度要求，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。 具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越细致，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。 直径硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，很是怕钠的半导体车间，这种车间不宜过25度。 湿度高而产生的问题更多。相对湿度过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难清除。 相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产适合的温度范围为35—45%。 2、洁净室中的气压规定 对于大部分洁净空间，为了外界污染侵入，需要保持内部的压力（静压）高于外部的压力（静压）。压力差的维持一般应适合以下原则： 1．洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。 2.洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。 3.相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。 压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。
156-3928-5153
